实际应用发现, 不加旁路二极管, 如果功率MOSFET 发生失效,那么,发生失效的条件通常是:输出满负载,系统进行老化测试、输入掉电测试以及输入AC 电源插拔的过程中。 在上述条件下,输入电压瞬态的降到为0,由于输出满载,PFC 输出大电容的电压VBUS 迅速降低到非常低的值,PFC 控制IC 的VCC 的电容大,VCC 的电流小,因此,VCC 的掉电速度远远小于VBUS 的掉电速度,VCC的掉电速度慢,高于PFC 控制IC 的VCC 的UVLO,那么PFC 控制IC 仍然在工作,如表1 为一款PFC 控制器的供电电压VCC 的特性,列出了UVLO 电压参数。实际工作中,输入交流AC 掉电时,PFC 控制IC 的VCC 电压的工作波形如图2 所示。 image.png 当VCC 的值比UVLO 稍高一点时,输入电源AC 再加电,PFC 控制IC 没有软起动过程直接工作,由于输出电压比较低,特别是在输入正弦波峰值点附近开通功率MOSFET,PFC 电感和功率MOSFET 的工作峰值电流非常大,如果电感的饱和电流裕量不够,或PFC 的电流取样电阻选取得过小时,PFC 电感有可能发生饱和,功率MOSFET 在大电流的冲击下,就有可能发生损坏。 同时,功率MOSFET 的VGS 电压比较低,约等于PIC 控制IC 的VCC 的UVLO 电压,如果功率MOSFET的饱和电流比较低,就有可能会进入线性区工作,更容易导致功率MOSFET 线性区工作而损坏。[1-2]另外,如果电流取样电阻RS 在功率MOSFET 的驱动回路中,就是PFC 控制IC 的地,没有直接连接到功率MOSFET 的源极S,如图3 所示,功率MOSFET 的VGS 实际电压为: VGS=VDR-VRS 高峰值电流导致RS 的压降VRS 变大, 功率MOSFET 的VGS 电压会进一步降低,就更容易进入线性区工作。 系统环境的温度升高时,PFC 控制IC 内部图腾柱上管的导通压降也会增加,VDR 电压降低,VGS 电压也会进一步降低,增加功率MOSFET 进入线性区风险。在输入正弦波峰值点附近开通功率MOSFET,一定范围内LC 的取值,导致震荡,也会导致率MOSFET进入线性区。
输入交流AC 掉电重起动的波形如图4 所示,可以看到,功率MOSFET 开通后,VDS 电压并没有完全降低到0,而是在比较高的电压下就关断,非常明显的进入到线性区工作。
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